![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.4.3 电感测试版图
下面利用一组实际片上螺旋电感来举例验证2.4.2节所述的模型参数提取方法,这些电感是基于标准0.13μmRFCMOS工艺加工制作的[10]。片上螺旋电感设计的圈数为0.5、1.5和2.5圈,内径为20μm、30μm、40μm和50μm,金属线间距为2μm,金属线宽度为8μm。使用AgilentE8363C网络分析仪进行S参数测试,测量的频率范围为0.5~40GHz。图2.19~图2.22分别给出了内径为20μm、30μm、40μm和50μm的八边形电感物理测试结构。图2.23给出了射频S参数测试中的八边形电感(包括探针和焊盘)。
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图2.19 内径为20μm的八边形电感物理测试结构
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图2.20 内径为30μm的八边形电感物理测试结构
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图2.21 内径为40μm的八边形电感物理测试结构
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图2.22 内径为50μm的八边形电感物理测试结构
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图2.23 射频S参数测试中的八边形电感(包括探针和焊盘)