![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.4.2 本征等效电路模型
图2.18给出了八边形片上螺旋电感的等效电路模型,虚线框内为本征基本单元,L0表示本征电感,R1表示损耗电阻,电阻R2和电感L1的并联结构用来模拟趋肤效应。基本单元的Y参数可以表示为:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_25.jpg?sign=1739301706-XSJxPKyWITqwA5eKcxBPxQtgex58q9iT-0-11844ac7b4b865777be8c9006e985564)
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_26.jpg?sign=1739301706-P76p1eFVirDHIMV2QhQiikltsBz2lh5w-0-b5a8d2a0dda4b0351154842e0479b17f)
图2.18 八边形片上螺旋电感的等效电路模型
在低频段,电感L0和L1之和可以通过1/Yint的虚部获得:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_27.jpg?sign=1739301706-GBvJi103g2g2iRrXLEFWwBEEh4Gd6db7-0-46505957e453450348ec5f4a1cbb1ae4)
电阻R1可以由1/Yint的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_28.jpg?sign=1739301706-aGwsd7PBkcFUKW1ypoFW0vEwSVp4XgTH-0-3c038951cabe97b83e23b106be5a137c)
削去R1+jω(L0+L1)后可以得到:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_29.jpg?sign=1739301706-H4bVISat5HD5Ry1NnYeEyDHBtWiCY9LB-0-87b6807413e787ae31c6b073eb3465ad)
这样电阻R2和电感L1可以由下面的公式直接确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_30.jpg?sign=1739301706-pCFV34wwThMmrNjnY1Ck1gq624y4HVXg-0-8c1cd621028a7ea13c90e4bb329c6f8b)
这里:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_31.jpg?sign=1739301706-0RdCecy6uuEpJfpVAo4RZuIGcZ9kY8rE-0-837662bf9b8aeee1f228ea5e59aa3bdc)
由于本征基本单元在整个模型中占主导地位,而衬底效应模型元件不能直接通过解析式确定,所以需要后续优化。因此上述方法可以被视为一个后续优化过程的最初假设,通过该过程可以得到最终的模型参数。