![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.5.2 三维电感的等效电路模型
图2.36给出了由多个基本单元组成的3D多层片上电感的等效电路模型,其中Cio表示输入/输出焊盘之间的隔离电容,因为其值非常小(一般情况下小于1fF),对器件频率响应影响很小,因此可以忽略不计。Cox1和Cox2表示金属层和硅衬底之间的氧化层电容,Csub1、Csub2、Rsub1及Rsub2为描述衬底耦合的电容和电阻,电感Lvia用于描述第一层金属和第二层金属之间的通孔分布效应。本征基本单元由电感、电阻
及耦合电容
构成,j是基本单元的序数。值得注意的是,由于不同金属层中的每个螺旋电感可以有不同的圈数,因此每个基本单元的模型参数可以不同。与传统模型相比,由于考虑了通孔和馈线分布效应的影响,因此该模型的拓扑结构是不对称的,馈线用于将测试端口连接到输入端口的最里层抽头。该等效电路模型可以分为内外两部分,即外部仅包含焊盘寄生效应和通孔电感,内部则包含n个基本单元(n为金属层数)。
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图2.36 3D多层片上电感等效电路模型
如果每一层电感都具有相同的圈数,则有:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_61.jpg?sign=1738869804-VerhvymQshXkfxfLQZXvUgUEj1BDxG0Y-0-c60abd3f754fe54e23fe73446645ef21)
这样一来,图2.36所示的等效电路模型可以简化为图2.37,总的电感、电阻和电容分别为nLC、nRC和CC/n。
相应的短路Y参数可以表示为:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_62.jpg?sign=1738869804-UJg455GP0ylyPVqs4E8iwYI2yJNY8RJB-0-2e2538da3d4f6114da7818845c15b80b)
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_63.jpg?sign=1738869804-7mmpgtVsNB56cld0W0qpC7KHpjYtZ3bV-0-b86cded6e4ae3df862b53e066f2ea968)
图2.37 简化的等效电路模型
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_64.jpg?sign=1738869804-WeaQ1wVWirfCZhnGEYBvEFbXFA76XnKx-0-1bfa6b9f0ffdbd9ac9c3339b4802836a)
式中:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_65.jpg?sign=1738869804-4J8YaF73pFXHfo1B1GJbZRGwmWAB86ip-0-9922497854d48cc874eeedf871a10b71)